ev，hev用Igbt模块
通过采用将第第代rc-igbt芯片芯片模块冷却器的水冷结构结构结构结构结构
另外，通过通过应应和二极管管，实现管管高速，
系列清单
ev，hev用igbt模块750v级级
ev，hev用Igbt模块（6MBI800XV-075V-01）的的信息信息
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VCE（SAT）：在TVJ =25ºC，芯片
| 包裹 | 设备类型 | VCES 伏特 |
IC（续） 放大器。 |
IC（峰） 放大器。 |
VCE（SAT） 典型。伏特 |
VF 典型。伏特 |
净质量克 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 M653 |
6MBI800XV-075V-01 | 750 | 570 | 1600 | 1.45（IC = 800A） | 1.50（如果= 800a） | 560克 |
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